| Numero di parte | IRFL110TRPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 900mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
IRFL014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | Dettagli |
 |
IRFL014E | IR | IRFL014E IR TO251 New Original Stocks | Dettagli |
|
IRFL014N | IR | IRFL014N IR SOT223 New Original Stocks | Dettagli |
|
IRFL014NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 | Dettagli |
|
IRFL014NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 | Dettagli |
|
IRFL014PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | Dettagli |
|
IRFL014TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | Dettagli |
|
IRFL014TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | Dettagli |
|
IRFL014TRPBF. | IRVIS | IRFL014TRPBF. IR/VIS SOT-22.. New Original Stocks | Dettagli |
|
IRFL024 | IR | IRFL024 IR SOT-22.. New Original Stocks | Dettagli |
