| Numero di parte | IRFIB8N50KPBF |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2160pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFIB41N15D | IR | IRFIB41N15D IR TO-220.. New Original Stocks | Dettagli |
|
IRFIB41N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP | Dettagli |
|
IRFIB5N50L | VISHAY | Power MOSFET | Dettagli |
|
IRFIB5N50LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 4.7A TO220FP | Dettagli |
|
IRFIB5N65A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP | Dettagli |
|
IRFIB5N65APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP | Dettagli |
|
IRFIB6N60A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP | Dettagli |
|
IRFIB6N60APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP | Dettagli |
|
IRFIB7N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP | Dettagli |
|
IRFIB7N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP | Dettagli |
