IRFD024

IRFD024 - Vishay Siliconix

Numero di parte
IRFD024
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
13215 pcs
Prezzo di riferimento
USD 1.9165/pcs
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IRFD024 Descrizione dettagliata

Numero di parte IRFD024
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacchetto / caso 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Peso -
Paese d'origine -

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