| Numero di parte | IRF9640STRRPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 6.6A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IRF9610 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB | Dettagli |
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IRF9610L | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262 | Dettagli |
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IRF9610PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB | Dettagli |
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IRF9610S | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK | Dettagli |
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IRF9610SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK | Dettagli |
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IRF9610STRL | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK | Dettagli |
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IRF9610STRR | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK | Dettagli |
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IRF9612 | IR | IRF9612 IR TO-220 New Original Stocks | Dettagli |
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IRF9620 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB | Dettagli |
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IRF9620L | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-262 | Dettagli |
