IRF730AS Descrizione dettagliata
Numero di parte |
IRF730AS |
Stato parte |
Obsolete |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
400V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
5.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
22nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
600pF @ 25V |
Vgs (massimo) |
±30V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
74W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1 Ohm @ 3.3A, 10V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
D2PAK |
Pacchetto / caso |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
PRODOTTI CORRELATI PER IRF730AS