| Numero di parte | IRF540STRRPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 17A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IRF540 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 22A TO-220 | Dettagli |
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IRF540,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB | Dettagli |
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IRF540A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 28A TO-220 | Dettagli |
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IRF540L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 28A TO-262 | Dettagli |
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IRF540NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 | Dettagli |
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IRF540NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 | Dettagli |
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IRF540NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB | Dettagli |
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