| Numero di parte | GBL08-E3/51 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | 4-SIP, GBL |
| Pacchetto dispositivo fornitore | GBL |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
GBL005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 50V 4A GBL | Dettagli |
 |
GBL005 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL | Dettagli |
|
GBL005-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL | Dettagli |
|
GBL005-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL | Dettagli |
|
GBL005HD2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL | Dettagli |
 |
GBL005_1 | TSC | Single Phase 4.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers | Dettagli |
 |
GBL01 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 4A GBL | Dettagli |
|
GBL01 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL | Dettagli |
|
GBL01-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL | Dettagli |
|
GBL01-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL | Dettagli |
