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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Singoli › FESB8BTHE3/81
FESB8BTHE3/81

FESB8BTHE3/81 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte
FESB8BTHE3/81
fabbricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
FESB8BTHE3/81 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
FESB8BTHE3/81.pdf
Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
32903 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.7781/pcs
Il nostro prezzo
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FESB8BTHE3/81 Descrizione dettagliata

Numero di parte FESB8BTHE3/81
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Corrente - Rettificato medio (Io) 8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 950mV @ 8A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 100V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C
Peso -
Paese d'origine -

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