| Numero di parte | ES2A-E3/5BT |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 2A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 2A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
ES2A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Dettagli |
 |
ES2A M4G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Dettagli |
|
ES2A R5G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Dettagli |
 |
ES2A-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 2A SMB | Dettagli |
|
ES2A-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 2A SMB | Dettagli |
|
ES2A-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Dettagli |
|
ES2A-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Dettagli |
 |
ES2A-LTP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC | Dettagli |
|
ES2A-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Dettagli |
|
ES2A-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Dettagli |
