BYV12-TAP - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte	BYV12-TAP
Stato parte	Active
Tipo diodo	Avalanche
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corrente - Rettificato medio (Io)	1.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5V @ 1A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	300ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F	-
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	SOD-57, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore	SOD-57
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BYV10-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC	Dettagli
BYV10ED-600PJ	WeEn Semiconductors	BYV10ED-600P/DPAK/REEL 13" Q1/	Dettagli
BYV10EX-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F	Dettagli
BYV10X-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2	Dettagli
BYV116B-25	PHI	BYV116B-25 PHI TO-263 New Original Stocks	Dettagli
BYV118-40	PHI	BYV118-40 PHI TO-220 New Original Stocks	Dettagli
BYV12	VISHAY	Fast Silicon Mesa Rectifiers	Dettagli
BYV12-TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57	Dettagli
BYV12-TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57	Dettagli
BYV13	VISHAY	Fast Silicon Mesa Rectifiers	Dettagli