| Numero di parte | BYM07-50HE3_A/I |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 500mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 500mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-213AA (Glass) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA (GL34) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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BYM07-100 | VISHAY | Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier | Dettagli |
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BYM07-100-E3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | Dettagli |
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BYM07-100-E3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | Dettagli |
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BYM07-100HE3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | Dettagli |
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BYM07-100HE3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | Dettagli |
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BYM07-100HE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | Dettagli |
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BYM07-100HE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | Dettagli |
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BYM07-150 | VISHAY | Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier | Dettagli |
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BYM07-150-E3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213 | Dettagli |
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BYM07-150HE3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213 | Dettagli |
