| Numero di parte | AS3BJ-M3/5BT |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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AS3BD-M3/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 3A DO214AA | Dettagli |
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AS3BD-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 3A DO214AA | Dettagli |
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AS3BDHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 3A DO214AA | Dettagli |
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AS3BDHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 3A DO214AA | Dettagli |
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AS3BG-M3/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 3A DO214AA | Dettagli |
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AS3BG-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 3A DO214AA | Dettagli |
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AS3BGHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 3A DO214AA | Dettagli |
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AS3BGHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 3A DO214AA | Dettagli |
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AS3BJ-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA | Dettagli |
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AS3BJ-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA | Dettagli |
