2N4339-2 - Vishay Siliconix

Numero di parte	2N4339-2
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)	50V
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	500µA @ 15V
Scarico corrente (Id) - max	-
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	600mV @ 100nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7pF @ 15V
Resistenza - RDS (On)	-
Potenza - Max	300mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-206AA (TO-18)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
2N4000	CENTRAL	Small Signal Transistors	Dettagli
2N4001	CENTRAL	Small Signal Transistors	Dettagli
2N4003K	WEITRON	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	Dettagli
2N4012	EXSHINE	silicon transistors UHF/VHF power transistors	Dettagli
2N4013	Central Semiconductor Corp	TRANS NPN 30V TO-18	Dettagli
2N4014	Central Semiconductor Corp	TRANS NPN 50V TO-18	Dettagli
2N4015	Central Semiconductor Corp	TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6	Dettagli
2N4016	Central Semiconductor Corp	TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6	Dettagli
2N4021	EXSHINE	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS	Dettagli
2N4023	EXSHINE	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS	Dettagli