Numero di parte | HCT7000M |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-SMD |
Pacchetto / caso | 3-SMD, No Lead |
Peso | - |
Paese d'origine | - |