TPH3300CNH,L1Q

TPH3300CNH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TPH3300CNH,L1Q
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.6832/pcs
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TPH3300CNH,L1Q Descrizione dettagliata

Numero di parte TPH3300CNH,L1Q
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 75V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 9A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso -
Paese d'origine -

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