TPH11003NL,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TPH11003NL,LQ
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	32A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta), 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TPH11003NL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 30V 32A 8SOP	Dettagli
TPH11006NL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP	Dettagli
TPH1110ENH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP	Dettagli
TPH1110FNH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP	Dettagli