TPC8207(TE12L,Q)

TPC8207(TE12L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TPC8207(TE12L,Q)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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TPC8207(TE12L,Q) Descrizione dettagliata

Numero di parte TPC8207(TE12L,Q)
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 4.8A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2010pF @ 10V
Potenza - Max 450mW
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP (5.5x6.0)
Peso -
Paese d'origine -

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