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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › TPC8026(TE12L,Q,M)
TPC8026(TE12L,Q,M)

TPC8026(TE12L,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TPC8026(TE12L,Q,M)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
TPC8026(TE12L,Q,M) Navigazione online PDF
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TPC8026(TE12L,Q,M).pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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TPC8026(TE12L,Q,M) Descrizione dettagliata

Numero di parte TPC8026(TE12L,Q,M)
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6 mOhm @ 6.5A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP (5.5x6.0)
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Peso -
Paese d'origine -

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