TPC6006-H(TE85L,F)

TPC6006-H(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TPC6006-H(TE85L,F)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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TPC6006-H(TE85L,F) Descrizione dettagliata

Numero di parte TPC6006-H(TE85L,F)
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 251pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 1.9A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore VS-6 (2.9x2.8)
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso -
Paese d'origine -

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