TK8Q60W,S1VQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK8Q60W,S1VQ
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	570pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-Pak
Pacchetto / caso	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	TK8Q60W,S1VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 8A IPAK	Dettagli
	TK8Q65W,S1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK	Dettagli