TK72E12N1,S1X Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
TK72E12N1,S1X |
| Stato parte |
Active |
| Tipo FET |
N-Channel |
| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
120V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
72A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
130nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
8100pF @ 60V |
| Vgs (massimo) |
±20V |
| Caratteristica FET |
- |
| Dissipazione di potenza (max) |
255W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
4.4 mOhm @ 36A, 10V |
| temperatura di esercizio |
150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
TO-220-3 |
| Pacchetto / caso |
TO-220-3 |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
PRODOTTI CORRELATI PER TK72E12N1,S1X
