TK6A60W,S4VX - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK6A60W,S4VX
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 310µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 3.1A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TK6A45DA(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 450V 5.5A TO-220SIS	Dettagli
TK6A50D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V 6A TO-220SIS	Dettagli
TK6A53D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS	Dettagli
TK6A55DA(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS	Dettagli
TK6A60D	TOSHIBA	TK6A60D TOSHIBA TO-220.. New Original Stocks	Dettagli
TK6A60D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS	Dettagli
TK6A60W,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS	Dettagli
TK6A65D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS	Dettagli
TK6A65W,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS	Dettagli
TK6A80E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 800V TO220SIS	Dettagli