TK5A60W,S4VX - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK5A60W,S4VX
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 2.7A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TK5A45DA(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS	Dettagli
TK5A50D	TOSHIBA	TK5A50D TOSHIBA TO-220.. New Original Stocks	Dettagli
TK5A50D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS	Dettagli
TK5A53D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 525V 5A TO-220SIS	Dettagli
TK5A55D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS	Dettagli
TK5A60D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 5A TO-220SIS	Dettagli
TK5A60W,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS	Dettagli
TK5A65D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS	Dettagli
TK5A65DA(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220SIS	Dettagli
TK5A65W,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS	Dettagli