TK50P03M1(T6RSS-Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte: TK50P03M1(T6RSS-Q)
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione: MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Numero di parte	TK50P03M1(T6RSS-Q)
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DP
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TK50P03M1	TOS	TK50P03M1 TOS DPAK New Original Stocks	Dettagli
TK50P03M1(T6RSS-Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3	Dettagli
TK50P04M1(T6RSS-Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3	Dettagli