TK4A60DA(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte: TK4A60DA(STA4,Q,M)
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Numero di parte	TK4A60DA(STA4,Q,M)
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 1.8A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TK4A60D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS	Dettagli
TK4A60DA(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS	Dettagli
TK4A60DB(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS	Dettagli