TK4A50D(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK4A50D(STA4,Q,M)
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Peso	-
Paese d'origine	-