TK46E08N1,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK46E08N1,S1X
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 40V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	103W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 23A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3
Peso	-
Paese d'origine	-