TK31V60X,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK31V60X,LQ
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	98 mOhm @ 9.4A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	5-DFN (8x8)
Pacchetto / caso	4-VSFN Exposed Pad
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TK31A60W,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS	Dettagli
TK31E60W,S1VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220	Dettagli
TK31E60X,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220	Dettagli
TK31J60W,S1VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)	Dettagli
TK31J60W5,S1VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)	Dettagli
TK31N60W,S1VF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 30.8A TO247	Dettagli
TK31N60W5,S1VF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247	Dettagli
TK31N60X,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247	Dettagli
TK31V60W,LVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN	Dettagli
TK31V60W5,LVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN	Dettagli