TK20J60U(F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK20J60U(F)
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1470pF @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P(N)
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TK2005800000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 20P SIDE ENTRY 5MM PCB	Dettagli
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TK2070	EXSHINE	STEREO 70W (4Ohm) CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING (DPP) TECHNOLOGY	Dettagli
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