TK20G60W,RVQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK20G60W,RVQ
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TK2005800000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 20P SIDE ENTRY 5MM PCB	Dettagli
TK2019	EXSHINE	STEREO 20W (4OHM) CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER	Dettagli
TK2050	EXSHINE	STEREO 50W (8OHM) CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER	Dettagli
TK2051	EXSHINE	STEREO 50W (8ヘ) CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING (DPP)	Dettagli
TK2070	EXSHINE	STEREO 70W (4Ohm) CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING (DPP) TECHNOLOGY	Dettagli
TK20A25D,S5Q(M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS	Dettagli
TK20A60U	TOSHIBA	TK20A60U TOSHIBA TO-220 New Original Stocks	Dettagli
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TK20A60W,S5VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS	Dettagli
TK20A60W5,S5VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 20A TO-220	Dettagli