TK20E60W,S1VX - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK20E60W,S1VX
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3
Peso	-
Paese d'origine	-