TH58BVG3S0HTA00 - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TH58BVG3S0HTA00
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	EEPROM
Tecnologia	EEPROM - NAND
Dimensione della memoria	8Gb (1G x 8)
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	25ns
Tempo di accesso	25ns
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	2.7 V ~ 3.6 V
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	48-TSOP I
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TH58BVG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE	Dettagli
TH58BVG2S3HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	Dettagli
TH58BVG2S3HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	Dettagli
TH58BVG3S0HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	Dettagli
TH58BVG3S0HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE	Dettagli
TH58BYG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4G SLC NAND BGA 24NM	Dettagli
TH58BYG2S3HBAI6	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA	Dettagli
TH58BYG3S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V	Dettagli