TC58BVG0S3HBAI4

TC58BVG0S3HBAI4 - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TC58BVG0S3HBAI4
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
IC EEPROM 1GBIT 25NS 63FBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Memoria
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
122 pcs
Prezzo di riferimento
USD 2.43/pcs
Il nostro prezzo
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TC58BVG0S3HBAI4 Descrizione dettagliata

Numero di parte TC58BVG0S3HBAI4
Stato parte Active
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria EEPROM
Tecnologia EEPROM - NAND
Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8)
Frequenza di clock -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 25ns
Tempo di accesso 25ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 2.7 V ~ 3.6 V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 63-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 63-TFBGA (9x11)
Peso -
Paese d'origine -

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