| Numero di parte | SSM6K781G,LF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 6V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WCSPC (1.5x1.0) |
| Pacchetto / caso | 6-UFBGA, WLCSP |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SSM60T03GH | SSC | N-channel Enhancement-mode Power MOSFET | Dettagli |
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SSM60T03GJ | SSC | N-channel Enhancement-mode Power MOSFET | Dettagli |
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SSM60T03GP | SSC | N-channel Enhancement-mode Power MOSFET | Dettagli |
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SSM630GP | SSC | N-channel Enhancement-mode Power MOSFET | Dettagli |
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SSM6322ACPZ-R2 | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | Dettagli |
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SSM6322ACPZ-R7 | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | Dettagli |
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SSM6322ACPZ-RL | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | Dettagli |
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SSM6618M | SSC | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET | Dettagli |
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SSM6679GM | SSC | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | Dettagli |
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SSM6679M | SSC | P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET | Dettagli |
