SSM6K504NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	SSM6K504NU,LF
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	620pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.5 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-UDFNB (2x2)
Pacchetto / caso	6-WDFN Exposed Pad
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SSM6K06FU	TOS	SSM6K06FU TOS SC70-6 New Original Stocks	Dettagli
SSM6K07FU	TOS	SSM6K07FU TOS SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
SSM6K08FU	TOSHIBA	SSM6K08FU TOSHIBA SOT-6 New Original Stocks	Dettagli
SSM6K18TU	TOS	SSM6K18TU TOS UF6 New Original Stocks	Dettagli
SSM6K202FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6	Dettagli
SSM6K204FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V ES6	Dettagli
SSM6K211FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6	Dettagli
SSM6K217FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6	Dettagli
SSM6K24FE	TOSHIBA	SSM6K24FE TOSHIBA SOT-66.. New Original Stocks	Dettagli
SSM6K341NU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 6A 6-UDFNB	Dettagli