SSM5H12TU(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte: SSM5H12TU(TE85L,F)
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte	SSM5H12TU(TE85L,F)
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.9nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	123pF @ 15V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	133 mOhm @ 1A, 4V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	UFV
Pacchetto / caso	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	SSM5H12TU(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV	Dettagli