SSM3K15ACT,L3F

SSM3K15ACT,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
SSM3K15ACT,L3F
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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USD 0.0468/pcs
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SSM3K15ACT,L3F Descrizione dettagliata

Numero di parte SSM3K15ACT,L3F
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13.5pF @ 3V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 Ohm @ 10mA, 4V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore CST3
Pacchetto / caso SC-101, SOT-883
Peso -
Paese d'origine -

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