SSM3J56ACT,L3F Descrizione dettagliata
Numero di parte |
SSM3J56ACT,L3F |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
P-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
1.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
1.2V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
1.6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
100pF @ 10V |
Vgs (massimo) |
±8V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
390 mOhm @ 800mA, 4.5V |
temperatura di esercizio |
150°C |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
CST3 |
Pacchetto / caso |
SC-101, SOT-883 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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