SSM3J56ACT,L3F

SSM3J56ACT,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
SSM3J56ACT,L3F
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.0784/pcs
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SSM3J56ACT,L3F Descrizione dettagliata

Numero di parte SSM3J56ACT,L3F
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 10V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390 mOhm @ 800mA, 4.5V
temperatura di esercizio 150°C
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore CST3
Pacchetto / caso SC-101, SOT-883
Peso -
Paese d'origine -

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