SSM3J36FS,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	SSM3J36FS,LF
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	330mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	43pF @ 10V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SSM
Pacchetto / caso	SC-75, SOT-416
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SSM3055	SECOS	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET	Dettagli
SSM3302ACPZ	Analog Devices Inc.	IC AMP AUDIO 20W STER D 40LFCSP	Dettagli
SSM3302ACPZ-R7	Analog Devices Inc.	IC AUDIO AMP STEREO 40LFCSP	Dettagli
SSM3302ACPZ-RL	Analog Devices Inc.	IC AMP AUDIO 20W STER D 40LFCSP	Dettagli
SSM3310GH	SSC	P-channel Enhancement-mode Power MOSFET	Dettagli
SSM3310GJ	SSC	P-channel Enhancement-mode Power MOSFET	Dettagli
SSM34	TC	SSM34 TC SMA New Original Stocks	Dettagli
SSM34PT	CHENMKO	SSM34PT CHENMKO SMA New Original Stocks	Dettagli
SSM3515CCBZ-R7	Analog Devices Inc.	IC AMP CLASS D AUDIO 20WLSCP	Dettagli
SSM3515CCBZ-RL	Analog Devices Inc.	IC AMP CLASS D AUDIO 20WLSCP	Dettagli