RN2961(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	RN2961(TE85L,F)
Stato parte	Active
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistore - Base (R1) (Ohm)	4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm)	4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	200MHz
Potenza - Max	200mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	US6
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
RN2961(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Dettagli
RN2961FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Dettagli
RN2962(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Dettagli
RN2962FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Dettagli
RN2963(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Dettagli
RN2963FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Dettagli
RN2964(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6	Dettagli
RN2964FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Dettagli
RN2965(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Dettagli
RN2965FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Dettagli