| Numero di parte | RN1113(T5L,F,T) |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistore - Base (R1) (Ohm) | 47k |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 250MHz |
| Potenza - Max | 100mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SSM |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
RN1110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | Dettagli |
|
RN1110,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | Dettagli |
 |
RN1110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | Dettagli |
|
RN1110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | Dettagli |
 |
RN1110MFV | ORIGINAL | RN1110MFV ORIGINAL NEW New Original Stocks | Dettagli |
 |
RN1110MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM | Dettagli |
|
RN1111 | TOSHIBA | RN1111 TOSHIBA SOT323 New Original Stocks | Dettagli |
|
RN1111,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | Dettagli |
|
RN1111ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | Dettagli |
|
RN1111CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | Dettagli |
