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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - RF › MT3S16U(TE85L,F)
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
MT3S16U(TE85L,F)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
MT3S16U(TE85L,F) Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
7500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1008/pcs
Il nostro prezzo
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MT3S16U(TE85L,F) Descrizione dettagliata

Numero di parte MT3S16U(TE85L,F)
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5V
Frequenza - Transizione 4GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 2.4dB @ 1GHz
Guadagno 4.5dBi
Potenza - Max 100mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 1V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60mA
temperatura di esercizio 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore USM
Peso -
Paese d'origine -

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