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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - RF › JDP2S12CR(TE85L,Q
JDP2S12CR(TE85L,Q

JDP2S12CR(TE85L,Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
JDP2S12CR(TE85L,Q
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
JDP2S12CR(TE85L,Q Navigazione online PDF
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Categoria
Diodi - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
4498 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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JDP2S12CR(TE85L,Q Descrizione dettagliata

Numero di parte JDP2S12CR(TE85L,Q
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Tipo diodo PIN - Single
Voltage - Peak Reverse (Max) 180V
Corrente - max 1A
Capacità @ Vr, F 1.3pF @ 40V, 1MHz
Resistenza @ Se, F 700 mOhm @ 10mA, 100MHz
Dissipazione di potenza (max) -
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Pacchetto / caso SOD-123F
Pacchetto dispositivo fornitore S-FLAT (1.6x3.5)
Peso -
Paese d'origine -

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Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
JDP2S12CR(TE85L,Q JDP2S12CR(TE85L,Q Toshiba Semiconductor and Storage DIODE PIN 180V 1A S-FLAT Dettagli