HN3C51F-BL(TE85L,F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte: HN3C51F-BL(TE85L,F
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - Bipolari (BJT) - Array
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Codice data: New
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Numero di parte	HN3C51F-BL(TE85L,F
Stato parte	Obsolete
Transistor Type	2 NPN (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	350 @ 2mA, 6V
Potenza - Max	300mW
Frequenza - Transizione	100MHz
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitore	SM6
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	HN3C51F-BL(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6	Dettagli
	HN3C51F-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6	Dettagli