CUS05F30,H3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	CUS05F30,H3F
Stato parte	Active
Tipo diodo	Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Corrente - Rettificato medio (Io)	500mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	450mV @ 500mA
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	50µA @ 30V
Capacità @ Vr, F	120pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore	USC
Temperatura operativa - Giunzione	-
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
CUS01	TOSHIBA	CUS01 TOSHIBA SOD123 New Original Stocks	Dettagli
CUS01(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT	Dettagli
CUS02	TOSHIBA	CUS02 TOSHIBA SOD323 New Original Stocks	Dettagli
CUS02(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT	Dettagli
CUS03(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 40V 700MA US-FLAT	Dettagli
CUS04(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 60V 700MA US-FLAT	Dettagli
CUS05(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT	Dettagli
CUS05F30,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC	Dettagli
CUS05F40,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 40V 500MA USC	Dettagli
CUS05S30,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC	Dettagli