74HCT4051D(BJ) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	74HCT4051D(BJ)
Stato parte	Active
Interruttore di circuito	-
Circuito multiplexer / demultiplexer	8:1
Numero di circuiti	1
Resistenza su stato (max)	120 Ohm
Corrispondenza da canale a canale (& Delta; Ron)	6 Ohm
Voltage - Supply, Single (V +)	4.5 V ~ 5.5 V
Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)	±1 V ~ 5 V
Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)	39ns, 32ns
-3 dB di larghezza di banda	180MHz
Iniezione di carica	-
Channel Capacitance (CS (off), CD (off))	3.5pF
Corrente - Dispersione (IS (off)) (max)	400nA
crosstalk	-
temperatura di esercizio	-40°C ~ 125°C (TA)
Pacchetto / caso	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	16-SOIC
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
74HCT00	HARRIS	74HCT00 HARRIS SOP3.9 New Original Stocks	Dettagli
74HCT00AF	TOSHIB	74HCT00AF TOSHIB SOP5.2 New Original Stocks	Dettagli
74HCT00AP	TOSHIBA	74HCT00AP TOSHIBA DIP-14 New Original Stocks	Dettagli
74HCT00BQ,115	Nexperia USA Inc.	IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DHVQFN	Dettagli
74HCT00BQ-Q100,115	Nexperia USA Inc.	IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DQFN	Dettagli
74HCT00D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC	Dettagli
74HCT00D(BJ)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND QUAD 2 IN 14SOIC	Dettagli
74HCT00D,652	Nexperia USA Inc.	IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO	Dettagli
74HCT00D,653	Nexperia USA Inc.	IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO	Dettagli
74HCT00D-Q100,118	Nexperia USA Inc.	IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO	Dettagli