2SK3403(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	2SK3403(Q)
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	450V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220FL
Pacchetto / caso	TO-220-3, Short Tab
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
2SK3000	ROHM	2SK3000 ROHM SOT23 New Original Stocks	Dettagli
2SK3000ZY	RENESAS	2SK3000ZY RENESAS SOT23 New Original Stocks	Dettagli
2SK3003	Sanken	MOSFET N-CH 200V TO-220F	Dettagli
2SK3004	Sanken	MOSFET N-CH 250V TO-220F	Dettagli
2SK3005	SHINDENGEN	2SK3005 SHINDENGEN SOT252 New Original Stocks	Dettagli
2SK3009	SHINDENGEN	VX-2 Series Power MOSFET(600V 8A)	Dettagli
2SK3012	SHINDENGEN	VX-2 Series Power MOSFET(600V 12A)	Dettagli
2SK3013	SHINDENGEN	VX-2 Series Power MOSFET(600V 16A)	Dettagli
2SK3018	ROHM	2SK3018 ROHM SOT-32.. New Original Stocks	Dettagli
2SK3018(A)	CR	2SK3018(A) CR SOT23 New Original Stocks	Dettagli