2SK3128(Q)

2SK3128(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
2SK3128(Q)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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2SK3128(Q) Descrizione dettagliata

Numero di parte 2SK3128(Q)
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P(N)
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3
Peso -
Paese d'origine -

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