2SK2866(F)

2SK2866(F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
2SK2866(F)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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2SK2866(F) Descrizione dettagliata

Numero di parte 2SK2866(F)
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2040pF @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso -
Paese d'origine -

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