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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › 2SA1680,F(J
2SA1680,F(J

2SA1680,F(J - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
2SA1680,F(J
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
2SA1680,F(J Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
2SA1680,F(J.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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4262 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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2SA1680,F(J Descrizione dettagliata

Numero di parte 2SA1680,F(J
Stato parte Last Time Buy
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 2V
Potenza - Max 900mW
Frequenza - Transizione 100MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92MOD
Peso -
Paese d'origine -

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